干法刻蚀方法

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（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN200610148817.9 （22）申请日 2006.12.28

（71）申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN101211751A

（43）申请公布日 2008.07.02

（72）发明人崔红星;代大全;吕睿;李大勇

（74）专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司

代理人逯长明

（51）Int.CI

H01L21/00; H01L21/3213; C23F4/00;

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

干法刻蚀方法

（57）摘要

一种干法刻蚀方法，包括下列步骤：将晶

圆放入反应室的承载器上；将聚焦环与晶圆的距离调节范围调节至0～1.5mm，所述聚焦环位于承载器外围的接地环的支撑柱上；刻蚀晶圆。经过上述步骤，刻蚀气体微粒几乎不会附着在晶圆表面，提高了晶圆的成品率。

法律状态

法律状态公告日

2008-07-02 2008-08-27 2010-07-21

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态信息

公开

法律状态

实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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