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一种利用双谐振单元抵消馈通量的MEMS压电谐振器[发明专利]

来源：赴品旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种利用双谐振单元抵消馈通量的MEMS压电谐振

器

专利类型：发明专利

发明人：鲍景富,李昕熠,张超,黄裕霖,陈兆隽,秦风,安佳琪,张

翼

申请号：CN201510206387.0申请日：20150428公开号：CN104821800A公开日：20150805

摘要：本发明属于微机械系统(MEMS)器件设计制造领域，提出了一种降低馈通电容影响的MEMS压电谐振器，包括差分输入/输出结构和两个MEMS压电谐振单元；其特征在于，所述两个MEMS压电谐振单元中，一个在硅基底及二氧化硅绝缘层上对应于振动块和支撑梁的位置刻蚀有空腔，另一个未开设有空腔。与传统的MEMS谐振器相比，该结构通过引入差分输入/输出结构，使两个谐振器的馈通信号在输出端实现相减进而产生抵消作用，从而实现降低馈通电容影响的作用，提高谐振器的能量转换效率，使其具有更好的选频特性，并抑制谐振器的输出杂散。

申请人：电子科技大学

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：电子科技大学专利中心

代理人：李明光

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