*CN102242395A*
(10)申请公布号 CN 102242395 A(43)申请公布日 2011.11.16
(12)发明专利申请
(21)申请号 201110163438.8(22)申请日 2011.06.17
(71)申请人常州天合光能有限公司
地址213031 江苏省常州市新北区电子产业
园天合路2号(72)发明人钮应喜 张志强 黄振飞(74)专利代理机构常州市维益专利事务所
32211
代理人王凌霄(51)Int.Cl.
C30B 15/02(2006.01)C30B 15/00(2006.01)C30B 29/06(2006.01)
权利要求书 1 页 说明书 2 页 附图 1 页
(54)发明名称
用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉(57)摘要
本发明属于晶体生长连续固体加料技术领域,特别是一种用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉,连续加料装置,包括料仓,补料阀门,硅料输送装置,料仓的出料口与硅料输送装置连接,料仓带有真空泵接口,料仓的出料口设置补料阀门,硅料通过补料阀门进入硅料输送装置,硅料输送装置将硅料送入单晶炉的坩埚。设置连续加料装置的单晶炉,包括外坩埚、内坩埚和连续加料装置,内坩埚设置在外坩埚的硅液中,内坩埚底部与外坩埚相通,连续加料装置向内坩埚外的硅液中加料,设备在内坩埚内的硅液中提拉单晶硅。本发明的有益效果是:结构简单,固体连续加料,加料稳定,边长晶边化料,具有很好的成本优势和质量优势。
CN 102242395 ACN 102242395 ACN 102242400 A
权 利 要 求 书
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1.一种用于硅单晶生长的连续加料装置,其特征是:包括料仓(1),补料阀门(10),硅料输送装置,料仓(1)的出料口与硅料输送装置连接,料仓(1)带有真空泵接口(11),料仓(1)的出料口设置补料阀门(10),硅料(2)通过补料阀门(10)进入硅料输送装置,硅料输送装置将硅料(2)送入单晶炉的坩埚,在打开补料阀门(10),进行加料前,真空泵通过真空泵接口(11)对料仓(1)进行抽真空;当料仓(1)需要补料时,关闭补料阀门(10),即可进行。
2.根据权利要求1所述的用于硅单晶生长的连续加料装置,其特征是:所述的硅料输送装置包括送料管道(8)和链式传动拨料装置(3),料仓(1)的出料口与送料管道(8)相通,送料管道(8)的出料口通入单晶炉,将硅料(2)送入单晶炉的坩埚,链式传动拨料装置(3)设置在送料管道(8)内并位于料仓(1)的出料口下方。
3.根据权利要求2所述的用于硅单晶生长的连续加料装置,其特征是:所述的链式传动拨料装置(3)通过可控马达(4)驱动。
4.一种单晶炉,其特征是:包括外坩埚(7)、内坩埚(5)和权利要求1、2或3所述的连续加料装置,内坩埚(5)设置在外坩埚(7)的硅液(6)中,内坩埚(5)底部与外坩埚(7)相通,连续加料装置向内坩埚(5)外的硅液(6)中加料,设备在内坩埚(5)内的硅液(6)中提拉晶棒(9)。
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CN 102242395 ACN 102242400 A
说 明 书
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用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉
技术领域
[0001]
本发明属于晶体生长连续固体加料技术领域。
背景技术
在光伏行业中,各厂家一直都在降低成本和提高效率。在整个产业链中,硅料对其成本的影响非常重要,如何降低相关工艺的成本也成为各厂家研究的热点。在现有提拉单晶硅生长中,通过降低功耗,提高拉速,使得单晶硅成本得到一定降低,但是相对多晶硅来讲,成本还是较高。
[0003] 如何在成本上继续降低,成为人们研究的热点。目前各单晶炉设备厂家已经推出二次加料技术,通过减少了生产周期,提高石英坩埚的使用率,以此来降低成本。但是二次加料技术还是要通过再次化料等过程,需要额外的加热器进行化料,其技术、装备都比较复杂,难于产业化。
[0004] 中国专利200810175871.1的“一种硅单晶炉连续投料装置及设有该装置的硅单晶炉”公布了一种连续加料装置,由于其加料方式是在晶体收尾之后再次进行加料,进行再次化料,严格意义上讲不能称为连续投料。
[0002]
发明内容
[0005] 本发明所要解决的技术问题是:提供一种用于硅单晶生长的连续加料装置及设置该装置的单晶炉,通过固体加料技术,实现连续加料,一边生长晶体一边加料,节省硅料的溶化时间,来降低现有晶体生长的成本。
[0006] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于硅单晶生长的连续加料装置,包括料仓,补料阀门,硅料输送装置,料仓的出料口与硅料输送装置连接,料仓带有真空泵接口,料仓的出料口设置补料阀门,硅料通过补料阀门进入硅料输送装置,硅料输送装置将硅料送入单晶炉的坩埚,在打开补料阀门,进行加料前,真空泵通过真空泵接口对料仓进行抽真空;当料仓需要补料时,关闭补料阀门,即可进行。
[0007] 硅料输送装置包括送料管道和链式传动拨料装置,料仓的出料口与送料管道相通,送料管道的出料口通入单晶炉,将硅料送入单晶炉的坩埚,链式传动拨料装置设置在送料管道内并位于料仓的出料口下方。
[0008] 链式传动拨料装置通过可控马达驱动。[0009] 一种设置连续加料装置的单晶炉,包括外坩埚、内坩埚和连续加料装置,内坩埚设置在外坩埚的硅液中,内坩埚底部与外坩埚相通,连续加料装置向内坩埚外的硅液中加料,设备在内坩埚内的硅液中提拉单晶硅。[0010] 本发明的有益效果是:结构简单,固体连续加料,加料稳定,可以应用于各种需要连续加料的场合,尤其是硅单晶生长过程,不需要额外的加热器,即不需要额外的功耗,在周期方面由于是边长晶边化料,因此也会更有优势。还有,可实现计算机自动程序控制管理,避免人工操作的误差,提高了晶体质量,具有很好的成本优势和质量优势。
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说 明 书
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附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明;[0012] 图1是本发明的结构示意图;[0013] 图中,1.料仓,2.硅料,3.链式传动拨料装置,4.可控马达,5.内坩埚,6.硅液,7.外坩埚,8.送料管道,9.晶棒,10.补料阀门,11.真空泵接口。
[0011]
具体实施方式
[0014] 如图1所示,一种用于硅单晶生长的连续加料装置,包括料仓1,补料阀门10,硅料输送装置,料仓1的出料口与硅料输送装置连接,料仓1带有真空泵接口11,料仓1的出料口设置补料阀门10,硅料2通过补料阀门10进入硅料输送装置,硅料输送装置将硅料2送入单晶炉的坩埚。硅料输送装置包括送料管道8和链式传动拨料装置3,链式传动拨料装置3通过可控马达4驱动。料仓1的出料口与送料管道8相通,送料管道8的出料口通入单晶炉,将硅料2送入单晶炉的坩埚,链式传动拨料装置3设置在送料管道8内并位于料仓1的出料口下方。
[0015] 设置该连续加料装置的单晶炉,包括外坩埚7、内坩埚5,内坩埚5设置在外坩埚7的硅液6中,内坩埚5底部与外坩埚7相通,连续加料装置向内坩埚5外的硅液6中加料,设备在内坩埚5内的硅液6中提拉晶棒9。[0016] 工作过程如下:[0017] 在打开补料阀门10,进行加料前,真空泵通过真空泵接口11对料仓1进行抽真空,打开补料阀门10,1~5mm的颗粒料的硅料2在链式传动拨料装置3的传动下通过送料管道8向内坩埚5外的硅液6中加料,内坩埚2抑制了加料时对固液界面的干扰,通过调节可控马达4和长晶速度,可使固液界面保持在一定的位置,晶棒9达到一定长度便可收尾,可停止可控马达4;
[0018] 当料仓1需要补料时,关闭补料阀门10,即可进行补料。[0019] 本发明的创新在于,通过链式传动拨料装置实现了对加料速度的控制;真空泵和补料阀门实现了对料仓的补给;内坩埚抑制了加料时对固液界面的干扰;通过以上创新实现了在溶液不变情况下的连续晶体生长。本发明不限于上述最佳实施方式,任何人在本发明的启示下作出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均属于本发明的保护范围之内。
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说 明 书 附 图
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图1
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