涂胶显影机[发明专利]

*CN101894736A*

(10)申请公布号 CN 101894736 A(43)申请公布日 2010.11.24

(12)发明专利申请

(21)申请号 200910051561.3(22)申请日 2009.05.19

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

公司

地址201203 上海市张江路18号(72)发明人黄良志

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙) 31237

代理人屈蘅 李时云(51)Int.Cl.

H01L 21/00(2006.01)G03F 7/16(2006.01)

权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 1 页

(54)发明名称

涂胶显影机(57)摘要

本发明提供涂胶显影机，以降低现有方案解决光刻胶喷嘴出现结晶现象问题的成本，该涂胶显影机包括多个光刻胶喷嘴，所述喷嘴闲置时，各个喷嘴的喷嘴口位于同一空间，还包括：设置有溶剂挥发出口的溶剂储存装置，用于储存挥发性溶剂，所述出口位于所述空间内；湿度检测装置，用于检测所述空间的湿度；湿度控制装置，用于在湿度检测装置检测到所述湿度不在预定湿度范围时，通过控制溶剂储存装置中的溶剂数量来控制所述湿度处于预定湿度范围内。

CN 101894736 ACN 101894736 ACN 101894737 A

权 利 要 求 书

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1.一种涂胶显影机，包括多个光刻胶喷嘴，所述喷嘴闲置时，各个喷嘴的喷嘴口位于同一空间，其特征在于，还包括：

设置有溶剂挥发出口的溶剂储存装置，用于储存挥发性溶剂，所述出口位于所述空间内；

湿度检测装置，用于检测所述空间的湿度；湿度控制装置，用于在湿度检测装置检测到所述湿度不在预定湿度范围时，通过控制溶剂储存装置中的溶剂数量来控制所述湿度处于预定湿度范围内。

2.如权利要求1所述的涂胶显影机，其特征在于，还包括预定湿度范围设置装置，用于设置预定湿度范围。

3.如权利要求2所述的涂胶显影机，其特征在于，所述预定湿度范围设定装置具体包括：

显示单元，用于显示要求用户输入预定湿度范围的信息；获得单元，用于获得用户根据所述信息输入的预定湿度范围。4.如权利要求1所述的涂胶显影机，其特征在于，还包括预定湿度范围调整装置，用于调整已有预定湿度范围。

5.如权利要求1所述的涂胶显影机，其特征在于，所述湿度控制装置具体包括：溶剂添加单元，用于在所述湿度低于预定湿度范围中的最低湿度时，向溶剂存储装置添加溶剂，以使所述湿度处于所述预定湿度范围。

6.如权利要求1所述的涂胶显影机，其特征在于，所述空间具备一出口，溶剂储存装置挥发出来的溶剂能够基于所述出口挥发出所述空间；以及

所述湿度控制装置具体包括：出口调节单元，用于调节所述出口的大小，以通过控制所述空间内溶剂挥发出该出口的速度来调节所述空间内的湿度处于预定湿度范围。

7.如权利要求1所述的涂胶显影机，其特征在于，所述光刻胶为氩氟化物光刻胶；以及所述预定湿度范围为75％～85％。

8.如权利要求1所述的涂胶显影机，其特征在于，所述光刻胶为氪氟化物光刻胶或i线型光刻胶；以及所述预定湿度范围为70％～85％。

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说 明 书涂胶显影机

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技术领域

[0001]

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及涂胶显影机。

背景技术

涂胶显影机(Track)是制造半导体的常用设备，一般用于光刻胶(PhotoResist)涂布及显影等工艺。光刻胶涂布的过程一般包括：将晶圆(Wafer)安置于涂胶显影机，由涂胶显影机的光刻胶喷嘴向晶圆表面喷上光刻胶。[0003] 图1为现有一种涂胶显影机的外观示意图，该涂胶显影机10有四个用于喷出光刻胶的光刻胶喷嘴11，当需要对吸盘12上的晶圆进行光刻胶涂布时，由其中一个光刻胶喷嘴11移动至吸盘12安置的晶圆上方，向晶圆喷上光刻胶。[0004] 由于光刻胶为粘质物，因此如果其它三个光刻胶喷嘴11此时闲置而不喷出光刻胶，则其很可能出现结晶现象，即闲置前喷的光刻胶可能残余在喷嘴口附近，导致后续使用这三个闲置的光刻胶喷嘴11喷出光刻胶时，其喷出的光刻胶可能就不均匀，会降低基于该涂胶显影机10执行的光刻工艺质量，进而降低制造出的产品质量。[0005] 为避免该结晶问题，现有方案为：即使没有晶圆需要其它三个光刻胶喷嘴11喷出光刻胶，也要通过使其喷出光刻胶来防止所述其它三个光刻胶喷嘴11出现结晶现象。但是由于光刻胶的价格非常昂贵，因此该现有方案的问题在于成本过于高昂。

[0002]

发明内容

[0006] 本发明提供涂胶显影机，以降低防止光刻胶喷嘴出现结晶现象的成本。[0007] 本发明提出了涂胶显影机，包括多个光刻胶喷嘴，所述喷嘴闲置时，各个喷嘴的喷嘴口位于同一空间，还包括：设置有溶剂挥发出口的溶剂储存装置，用于储存挥发性溶剂，所述出口位于所述空间内；湿度检测装置，用于检测所述空间的湿度；湿度控制装置，用于在湿度检测装置检测到所述湿度不在预定湿度范围时，通过控制溶剂储存装置中的溶剂数量来控制所述湿度处于预定湿度范围内。

[0008] 本发明提供的涂胶显影机通过设置的湿度检测装置检测所述光刻胶喷嘴的空间的湿度，并通过湿度控制装置将湿度控制在预定范围，由于湿度在预定范围，因此即使光刻胶喷嘴闲置，也不会出现结晶现象，也避免了现有技术使该闲置的光刻胶喷嘴喷出光刻胶而浪费光刻胶的问题，从而降低了成本。附图说明

[0009] 图1为现有一种涂胶显影机的外观示意图；

[0010] 图2为本发明实施例提出的涂胶显影机的部分结构示意图。

具体实施方式

[0011] 针对背景技术的问题，本发明实施例提出如果能够将喷嘴口所处空间的湿度保持

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说 明 书

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在预定范围内，则可以避免结晶现象，而且无需使本该闲置的光刻胶喷嘴口喷出光刻胶而浪费光刻胶。

[0012] 图2为本发明实施例提出的涂胶显影机的部分结构示意图，结合该图，本实施例中涂胶显影机20包括：

[0013] 多个光刻胶喷嘴21，所述喷嘴21闲置时，各个喷嘴21的喷嘴口22位于同一空间23，本实施例中有4个光刻胶喷嘴21，也可以是其它数目；以及还包括：[0014] 设置有溶剂挥发出口24的溶剂储存装置25，用于储存挥发性溶剂，所述溶剂挥发出口24位于所述空间23内，该溶剂存储装置25可以是溶剂池，池口位于空间23内，溶剂挥发出口24即为池口；[0015] 湿度检测装置26，用于检测所述空间23的湿度，可以包括湿度传感器261来检测所述湿度。

[0016] 湿度控制装置27，用于在湿度检测装置26检测到所述湿度不在预定湿度范围时，通过控制溶剂储存装置25中的溶剂数量来控制所述湿度处于预定湿度范围内。[0017] 在实施时，湿度控制装置27可以有多种具体结构，下面给出几种给以说明：[0018] 由于在实际工作时，所述湿度通常低于预定湿度范围的最低值而未处于预定湿度范围，因此湿度控制装置27可以具体包括：溶剂添加单元270，用于在所述湿度低于预定湿度范围中的最低湿度时，向溶剂存储装置25添加溶剂，以升高所述湿度，使所述湿度处于所述预定湿度范围。

[0019] 此外根据所述湿度与溶剂挥发在该空间23中的数量有关，例如空间中溶剂量大，则空间23湿度较高，溶剂量小，则空间23湿度较低，因此可以通过调节空间23的出口28的大小来调节空间23内溶剂数量，进而调节空间23的湿度处于预定湿度范围，基于该想法，所述湿度控制装置27可以具体包括：出口调节单元271，用于调节所述出口28的大小，以通过控制所述空间23内溶剂挥发出该出口28的速度来调节所述空间23内的湿度处于预定湿度范围。

[0020] 上述预定湿度范围可以使预先存储的，也可以是用户在使用涂胶显影机20时设置的，如果是用户使用时设置，则该涂胶显影机20还可以包括：预定湿度范围设置装置29，用于设置预定湿度范围。[0021] 根据设置的方式，该预定湿度范围设置装置29可以具体包括：显示单元，用于显示要求用户输入预定湿度范围的信息；获得单元，用于获得用户根据所述信息输入的预定湿度范围。

[0022] 如果涂胶显影机20预先已有预定湿度范围而用户要调整该预定湿度范围，则涂胶显影机20还可以包括：还包括预定湿度范围调整装置，用于调整已有预定湿度范围。[0023] 针对下述几种光刻胶，本发明实施例还给出预定湿度范围，对于其他光刻胶，实施人员可以通过实践得到。

[0024] 在光刻胶为氩氟化物(ARF)型光刻胶时，预定湿度范围为75％～85％，通常不会出现结晶现象；在光刻胶为氪氟化物(KRF)或i线(I-Line)型光刻胶时，预定湿度范围为70％～85％，通常不会出现结晶现象。

[0025] 本发明实施例提供的涂胶显影机20通过设置的湿度检测装置26检测所述光刻胶喷嘴21的空间23的湿度，并通过湿度控制装置27将湿度控制在预定范围，由于湿度在预

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定范围，因此即使光刻胶喷嘴21闲置，也不会出现结晶现象，也避免了现有技术使本该闲置的光刻胶喷嘴喷出光刻胶而浪费光刻胶的问题，从而降低了成本。[0026] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

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说 明 书 附 图

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图1

图2

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