溅射源、溅射装置和溅射方法[发明专利]

来源：赴品旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：溅射源、溅射装置和溅射方法专利类型：发明专利

发明人：佐藤重光,末代政辅,大空弘树,清田淳也,中村肇,石桥

晓,太田淳

申请号：CN200410045720.6申请日：20040521公开号：CN1572900A公开日：20050202

摘要：在本发明中，当靶(15)被溅射时，由于各个靶(15)相对基板(10)移动，溅射时基板(10)的全部区域变为都与靶(15)相对，可在基板(10)的表面上形成膜质均匀的膜。另外，在溅射时，由于不仅靶(15)相对基板(10)移动，磁场形成装置(25)也相对靶(15)移动，因此靶(15)的很宽区域被溅射。进而，如果使磁场形成装置(25)也相对基板(10)移动，则靶(15)就变为大部分被溅射的区域相对基板(10)移动，以使基板(10)上形成的膜的膜厚分布更均匀。

申请人：株式会社爱发科

地址：日本神奈川县

国籍：JP

代理机构：中国专利代理()有限公司

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