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采用UHV-CVD制作的应变SI基底层以及其中的器件[发明专利]

来源：赴品旅游

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：采用UHV－CVD制作的应变SI基底层以及其中的

器件

专利类型：发明专利

发明人：赵泽安,卡莱德·伊斯梅尔申请号：CN03803625.8申请日：20030204公开号：CN1630933A公开日：20050622

摘要：公开了一种制作应变Si基底层的方法、在该层中制作的器件、和包括这种层和器件的电子系统。该方法包含在衬底上外延生长SiGe层、和在此SiGe层中产生变化Ge浓度的步骤。SiGe层中的Ge浓度包括独特的Ge过冲区，在Ge过冲区中Ge浓度急剧和显著地增加。Si基底层被外延沉积在SiGe层上，从而变成拉伸应变的层。也公开了应变Si基底层，典型地Si和SiGe，可被转移至不同的块状衬底或绝缘体。

申请人：国际商业机器公司

地址：美国纽约

国籍：US

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王永刚

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