专利名称：使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法专利类型：发明专利发明人：张博,李陆萍
申请号：CN201310330633.4申请日：20130801公开号：CN104347375A公开日：20150211
摘要：本发明公开了一种使用氧化膜做阻挡层对栅极多晶硅进行刻蚀的方法，主要利用湿法刻蚀对采用不同方法成长的氧化膜具有不同刻蚀速率的原理，在需要去除功率器件沟槽中的局部多晶硅时，先使用常压化学气相淀积法在沟槽中的栅极多晶硅和栅极氧化膜上淀积一层较疏松的氧化膜；然后使用掩模版和光刻胶定义出需要刻蚀的图形，利用湿法刻蚀将需要去除的栅极多晶硅上面的氧化膜去除；最后在不使用掩模版和光刻胶的情况下对栅极多晶硅进行干法刻蚀。本发明不需在表面起伏较大的多晶硅和衬底上进行曝光，提高了光刻工艺的稳定性；且不需使用光刻胶作为栅极多晶硅刻蚀的阻挡层，在刻蚀过程中避免了多晶硅残留或硅表面被刻蚀的问题，扩大了多晶硅刻蚀工艺窗口。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：王函
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