专利名称：采用划磨方式去除IGBT用抛光片晶圆边缘氧化膜
的方法
专利类型：发明专利
发明人：刘振福,张宇,王瑶,李翔申请号：CN201110420554.3申请日：20111215公开号：CN102437043A公开日：20120502
摘要：本发明涉及一种采用划磨方式去除IGBT用抛光片晶圆边缘氧化膜的方法，其特征在于，将专用划磨式去边机应用于抛光片晶圆边缘氧化膜处理过程，首先通过热缩机在硅片背表面粘附卷装塑料蓝膜；然后根据硅片的不同规格，用所述划磨式去边机在硅片背表面粘附的塑料蓝膜上划出不同尺寸的圆形切痕，再沿切痕把需要腐蚀的环形圆形塑料蓝膜撕掉；从而使不需要去除背封SiO膜的部分保护起来；本发明通过划磨式去边技术，可以用于IGBT等电力电子器件用外延片的原材料衬底的制备，该方法操作简单，成本低，生产效率高，实用性强，是一种适用于大规模工业生产的去除背面SiO膜的技术。
申请人：天津中环领先材料技术有限公司
地址：300384 天津市西青区华苑技术产业园区(环外)海泰发展一路
国籍：CN
代理机构：天津中环专利商标代理有限公司
代理人：莫琪
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